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IRF6602
- Modello di prodotti:
- IRF6602
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 14245 Pieces
- Scheda dati:
- IRF6602.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF6602, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF6602 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.3V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DIRECTFET™ MQ |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 13 mOhm @ 11A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | DirectFET™ Isometric MQ |
| Altri nomi: | IRF6602TR |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | IRF6602 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1420pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 11A (Ta), 48A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MQ |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 11A (Ta), 48A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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