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IRF6601
- Modello di prodotti:
- IRF6601
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 19616 Pieces
- Scheda dati:
- IRF6601.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRF6601, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRF6601 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | DIRECTFET™ MT |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 3.8 mOhm @ 26A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.6W (Ta), 42W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | DirectFET™ Isometric MT |
| Altri nomi: | IRF6601TR |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | IRF6601 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3440pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 45nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 20V 26A (Ta), 85A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 26A (Ta), 85A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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