IPB022N04LGATMA1
IPB022N04LGATMA1
Modello di prodotti:
IPB022N04LGATMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15929 Pieces
Scheda dati:
IPB022N04LGATMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 95µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO263-2
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:2.2 mOhm @ 90A, 10V
Dissipazione di potenza (max):167W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Altri nomi:IPB022N04L G
IPB022N04L G-ND
IPB022N04L GTR-ND
SP000391497
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPB022N04LGATMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:13000pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:166nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 90A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:90A (Tc)
Email:[email protected]

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