IPP16CNE8N G
IPP16CNE8N G
Modello di prodotti:
IPP16CNE8N G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 85V 53A TO-220
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19986 Pieces
Scheda dati:
IPP16CNE8N G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 61µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO-220-3
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:16.5 mOhm @ 53A, 10V
Dissipazione di potenza (max):100W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:IPP16CNE8NGX
IPP16CNE8NGXK
SP000096470
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
codice articolo del costruttore:IPP16CNE8N G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:3230pF @ 40V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 85V 53A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
Tensione drain-source (Vdss):85V
Descrizione:MOSFET N-CH 85V 53A TO-220
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:53A (Tc)
Email:[email protected]

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