FCH041N65EFL4
FCH041N65EFL4
Modello di prodotti:
FCH041N65EFL4
fabbricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 76A
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19594 Pieces
Scheda dati:
FCH041N65EFL4.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 7.6mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247-4L
Serie:FRFET®, SuperFET® II
Rds On (max) a Id, Vgs:41 mOhm @ 38A, 10V
Dissipazione di potenza (max):595W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-4
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:37 Weeks
codice articolo del costruttore:FCH041N65EFL4
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:12560pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:298nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-4L
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V 76A
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:76A (Tc)
Email:[email protected]

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