Acquistare IPB023N06N3GATMA1 con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 141µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO263-7 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 214W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Altri nomi: | IPB023N06N3 G IPB023N06N3 G-ND IPB023N06N3 GTR-ND SP000453048 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IPB023N06N3GATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 16000pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 198nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 60V 140A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 60V 140A TO263-7 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 140A (Tc) |
| Email: | [email protected] |