CAS325M12HM2
CAS325M12HM2
Modello di prodotti:
CAS325M12HM2
fabbricante:
Cree
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15408 Pieces
Scheda dati:
CAS325M12HM2.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 105mA
Contenitore dispositivo fornitore:Module
Serie:Z-REC™
Rds On (max) a Id, Vgs:4.3 mOhm @ 400A, 20V
Potenza - Max:3000W
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:Module
temperatura di esercizio:175°C (TJ)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:CAS325M12HM2
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:1127nC @ 20V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET:Silicon Carbide (SiC)
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 444A (Tc) 3000W Module
Tensione drain-source (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrizione:MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:444A (Tc)
Email:[email protected]

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