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NVMFD5877NLT1G
- Modello di prodotti:
- NVMFD5877NLT1G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13157 Pieces
- Scheda dati:
- NVMFD5877NLT1G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 39 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Potenza - Max: | 3.2W |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | NVMFD5877NLT1GOSDKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 24 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NVMFD5877NLT1G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 540pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 60V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A |
| Email: | [email protected] |
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