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PMGD8000LN,115
- Modello di prodotti:
- PMGD8000LN,115
- fabbricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17732 Pieces
- Scheda dati:
- PMGD8000LN,115.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 100µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-TSSOP |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 8 Ohm @ 10mA, 4V |
| Potenza - Max: | 200mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Altri nomi: | 568-2370-2 934057621115 PMGD8000LN T/R |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | PMGD8000LN,115 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 18.5pF @ 5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.35nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 125mA 200mW Surface Mount 6-TSSOP |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 125mA |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per PMGD8000LN,115
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