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MCMNP517-TP
- Modello di prodotti:
- MCMNP517-TP
- fabbricante:
- Micro Commercial Components (MCC)
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17281 Pieces
- Scheda dati:
- MCMNP517-TP.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per MCMNP517-TP, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per MCMNP517-TP via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | DFN2020-6U |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 24 mOhm @ 6A, 10V |
| Potenza - Max: | - |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-VDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | MCMNP517 MCMNP517-TPMSTR MCMNP517MSTR MCMNP517MSTR-ND |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 8 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | MCMNP517-TP |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 630pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 12V 6A, 4.1A Surface Mount DFN2020-6U |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A, 4.1A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per MCMNP517-TP
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NVMFD5877NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC | Inchiesta |
 |
GWM220-004P3-SMD | IXYS | MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS | Inchiesta |
 |
AUIRF7316Q | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC | Inchiesta |
 |
FDC6327C | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SSOT-6 | Inchiesta |
 |
SI4974DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
APTM50AM24SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 | Inchiesta |
|
IRF8910TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
SIZ902DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR | Inchiesta |
 |
EPC2105ENG | EPC | TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE | Inchiesta |
 |
APTM50AM24SG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 | Inchiesta |
 |
IRF7756TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP | Inchiesta |
 |
PMGD8000LN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 0.125A 6TSSOP | Inchiesta |
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