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BSZ0902NS
- Modello di prodotti:
- BSZ0902NS
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15461 Pieces
- Scheda dati:
- BSZ0902NS.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TSDSON-8-FL |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.1W (Ta), 48W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | BSZ0902NS-ND BSZ0902NSATMA1 SP000854386 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSZ0902NS |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1700pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 19A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 19A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BSZ0902NS
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BSZ096N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | Inchiesta |
|
BSZ0901NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | Inchiesta |
|
BSZ0902NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 | Inchiesta |
 |
BSZ0901NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V S308 | Inchiesta |
|
BSZ099N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | Inchiesta |
 |
NTD5862N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 90A DPAK | Inchiesta |
|
BSZ097N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 | Inchiesta |
|
BSZ0904NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | Inchiesta |
 |
BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 20A 8WISON | Inchiesta |
|
BSZ097N04LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | Inchiesta |
|
BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON | Inchiesta |
 |
NTMSD2P102LR2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | Inchiesta |
 |
PSMN011-60MLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK33 | Inchiesta |
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