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BSZ0909NDXTMA1
- Modello di prodotti:
- BSZ0909NDXTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 20A 8WISON
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15197 Pieces
- Scheda dati:
- BSZ0909NDXTMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-WISON-8 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 18 mOhm @ 9A, 10V |
| Potenza - Max: | 17W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi: | BSZ0909NDXTMA1TR SP001637282 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSZ0909NDXTMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 360pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.6nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 20A (Tc) 17W Surface Mount PG-WISON-8 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 20A 8WISON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BSZ0909NDXTMA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BSZ0909NSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON | Inchiesta |
 |
APTM60A11FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 | Inchiesta |
|
BSZ0901NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V S308 | Inchiesta |
 |
BSZ0901NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | Inchiesta |
 |
SI5513CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 | Inchiesta |
|
BSZ0902NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 | Inchiesta |
|
BSZ0904NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | Inchiesta |
|
BSZ097N04LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | Inchiesta |
|
BSZ096N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | Inchiesta |
|
BSZ0902NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | Inchiesta |
 |
SI1034X-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SOT563F | Inchiesta |
|
BSZ099N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | Inchiesta |
|
BSZ097N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 | Inchiesta |
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