Acquistare BSZ0909NSATMA1 con BYCHPS
Acquista con garanzia
BSZ0909NSATMA1
- Modello di prodotti:
- BSZ0909NSATMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14560 Pieces
- Scheda dati:
- BSZ0909NSATMA1.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per BSZ0909NSATMA1, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per BSZ0909NSATMA1 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TSDSON-8 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 12 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.1W (Ta), 25W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerTDFN |
| Altri nomi: | BSZ0909NS BSZ0909NS-ND BSZ0909NSTR-ND SP000832568 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSZ0909NSATMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1310pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 34V 9A (Ta), 36A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 34V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 34V 9A 8TSDSON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A (Ta), 36A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per BSZ0909NSATMA1
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
BSZ0901NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | Inchiesta |
 |
SI4892DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC | Inchiesta |
|
BSZ0902NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8 | Inchiesta |
|
BSZ097N10NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8 | Inchiesta |
|
BSZ096N10LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | Inchiesta |
 |
IPS050N03LGAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 | Inchiesta |
|
BSZ0902NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 | Inchiesta |
 |
BSZ097N04LS G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 | Inchiesta |
 |
BSZ0909NDXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 20A 8WISON | Inchiesta |
|
BSZ0904NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON | Inchiesta |
 |
BUK9240-100A,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 33A DPAK | Inchiesta |
|
BSZ0901NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V S308 | Inchiesta |
|
BSZ099N06LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MV POWER MOS | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog