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NTMSD2P102LR2G
- Modello di prodotti:
- NTMSD2P102LR2G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16775 Pieces
- Scheda dati:
- NTMSD2P102LR2G.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SOIC |
| Serie: | FETKY™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 710mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | NTMSD2P102LR2GOS |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| codice articolo del costruttore: | NTMSD2P102LR2G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 750pF @ 16V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 2.3A (Ta) 710mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 2.3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NTMSD2P102LR2G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NTMSD2P102R2SG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | Inchiesta |
|
NTMSD2P102R2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | Inchiesta |
|
NTMSD2P102LR2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | Inchiesta |
|
NTMSD3P102R2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | Inchiesta |
|
NTMSD6N303R2 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC | Inchiesta |
|
NTMSD3P102R2SG | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | Inchiesta |
|
NTMSD3P102R2 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC | Inchiesta |
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