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BSB056N10NN3GXUMA1
- Modello di prodotti:
- BSB056N10NN3GXUMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13540 Pieces
- Scheda dati:
- BSB056N10NN3GXUMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 100µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 5.6 mOhm @ 30A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.8W (Ta), 78W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 3-WDSON |
| Altri nomi: | BSB056N10NN3 G BSB056N10NN3 G-ND BSB056N10NN3 GTR-ND BSB056N10NN3G BSB056N10NN3GXUMA1TR SP000604540 |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 14 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | BSB056N10NN3GXUMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5500pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 74nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 9A (Ta), 83A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 9A WDSON-2 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A (Ta), 83A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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