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IRL620S
- Modello di prodotti:
- IRL620S
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 12475 Pieces
- Scheda dati:
- IRL620S.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRL620S, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRL620S via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | D2PAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 800 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.1W (Ta), 50W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Altri nomi: | *IRL620S |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRL620S |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 360pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 5.2A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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