BSC029N025S G
BSC029N025S G
Modello di prodotti:
BSC029N025S G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17651 Pieces
Scheda dati:
BSC029N025S G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2V @ 80µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TDSON-8
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:2.9 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.8W (Ta), 78W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:BSC029N025S G-ND
BSC029N025SGINTR
BSC029N025SGXT
SP000095465
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:BSC029N025S G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5090pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:41nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 25V 24A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Tensione drain-source (Vdss):25V
Descrizione:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:24A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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