BSB053N03LP G
BSB053N03LP G
Modello di prodotti:
BSB053N03LP G
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19159 Pieces
Scheda dati:
BSB053N03LP G.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:MG-WDSON-2, CanPAK M™
Serie:OptiMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:5.3 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):2.3W (Ta), 42W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:3-WDSON
Altri nomi:SP000597830
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):3 (168 Hours)
codice articolo del costruttore:BSB053N03LP G
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2700pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 17A (Ta), 71A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 71A 2WDSON
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:17A (Ta), 71A (Tc)
Email:[email protected]

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