SUP60N06-12P-E3
SUP60N06-12P-E3
Modello di prodotti:
SUP60N06-12P-E3
fabbricante:
Vishay / Siliconix
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13564 Pieces
Scheda dati:
1.SUP60N06-12P-E3.pdf2.SUP60N06-12P-E3.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB
Serie:TrenchFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:12 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.25W (Ta), 100W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:SUP60N0612PE3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:SUP60N06-12P-E3
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1970pF @ 30V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:55nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 60V 60A (Tc) 3.25W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-220AB
Tensione drain-source (Vdss):60V
Descrizione:MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:60A (Tc)
Email:[email protected]

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