Acquistare NTR1P02T3G con BYCHPS
Acquista con garanzia
NTR1P02T3G
- Modello di prodotti:
- NTR1P02T3G
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12111 Pieces
- Scheda dati:
- NTR1P02T3G.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTR1P02T3G, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTR1P02T3G via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.3V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 180 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 400mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTR1P02T3G |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 165pF @ 5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 2.5nC @ 5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per NTR1P02T3G
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
NTR1P02T1 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 | Inchiesta |
 |
BTS282ZE3230AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 | Inchiesta |
|
NTR1P02LT3G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 | Inchiesta |
|
NTR1P02T3 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 | Inchiesta |
 |
IPP06CN10NGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 | Inchiesta |
 |
APT20N60SC3G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 20.7A D3PAK | Inchiesta |
|
NTR1P02T1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23 | Inchiesta |
|
NTR1P02LT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23 | Inchiesta |
 |
STS9NH3LL | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC | Inchiesta |
Latest Notizie
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog