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NTTFS5811NLTWG
- Modello di prodotti:
- NTTFS5811NLTWG
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18937 Pieces
- Scheda dati:
- NTTFS5811NLTWG.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTTFS5811NLTWG, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTTFS5811NLTWG via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 6.4 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.7W (Ta), 33W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerWDFN |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | NTTFS5811NLTWG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1570pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 40V 17A (Ta), 53A (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 40V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 17A (Ta), 53A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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