Acquistare STH250N55F3-6 con BYCHPS
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Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Contenitore dispositivo fornitore: | H²PAK |
Serie: | STripFET™ III |
Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.6 mOhm @ 60A, 10V |
Dissipazione di potenza (max): | 300W (Tc) |
imballaggio: | Cut Tape (CT) |
Contenitore / involucro: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Altri nomi: | 497-11309-1 |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo montaggio: | Surface Mount |
Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
codice articolo del costruttore: | STH250N55F3-6 |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 6800pF @ 25V |
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 100nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Caratteristica FET: | - |
Descrizione espansione: | N-Channel 55V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount H²PAK |
Tensione drain-source (Vdss): | 55V |
Descrizione: | MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6 |
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 180A (Tc) |
Email: | [email protected] |