IXKP10N60C5M
IXKP10N60C5M
Modello di prodotti:
IXKP10N60C5M
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
12778 Pieces
Scheda dati:
IXKP10N60C5M.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 340µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220ABFP
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:385 mOhm @ 5.2A, 10V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IXKP10N60C5M
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:790pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:Super Junction
Descrizione espansione:N-Channel 600V 5.4A (Tc) Through Hole TO-220ABFP
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.4A (Tc)
Email:[email protected]

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