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IXKP10N60C5
- Modello di prodotti:
- IXKP10N60C5
- fabbricante:
- IXYS Corporation
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12943 Pieces
- Scheda dati:
- IXKP10N60C5.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IXKP10N60C5, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IXKP10N60C5 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 340µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220AB |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 385 mOhm @ 5.2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | - |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IXKP10N60C5 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 790pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Super Junction |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 10A (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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