TPC6113(TE85L,F,M)
Modello di prodotti:
TPC6113(TE85L,F,M)
fabbricante:
Toshiba Semiconductor
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 5A VS6
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16147 Pieces
Scheda dati:
1.TPC6113(TE85L,F,M).pdf2.TPC6113(TE85L,F,M).pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:1.2V @ 200µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:VS-6 (2.9x2.8)
Serie:U-MOSVI
Rds On (max) a Id, Vgs:55 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max):700mW (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Altri nomi:TPC6113(TE85LFM)
TPC6113TE85LFM
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:TPC6113(TE85L,F,M)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:690pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:10nC @ 5V
Tipo FET:P-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:P-Channel 20V 5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8)
Tensione drain-source (Vdss):20V
Descrizione:MOSFET P-CH 20V 5A VS6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

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