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TPC6109-H(TE85L,FM
- Modello di prodotti:
- TPC6109-H(TE85L,FM
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 30V 5A VS-6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19371 Pieces
- Scheda dati:
- 1.TPC6109-H(TE85L,FM.pdf2.TPC6109-H(TE85L,FM.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1.2V @ 200µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | VS-6 (2.9x2.8) |
| Serie: | U-MOSIII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 59 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 700mW (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Altri nomi: | TPC6109-H(TE85L,F) TPC6109-H(TE85LFMTR TPC6109-HTE85LFTR TPC6109-HTE85LFTR-ND |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | TPC6109-H(TE85L,FM |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 490pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 12.3nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 30V 5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount VS-6 (2.9x2.8) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 30V 5A VS-6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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