VMO580-02F
VMO580-02F
Modello di prodotti:
VMO580-02F
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14506 Pieces
Scheda dati:
VMO580-02F.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 50mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:Y3-Li
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:3.8 mOhm @ 430A, 10V
Dissipazione di potenza (max):-
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:Y3-Li
Altri nomi:Q1221985A
VMO58002F
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
codice articolo del costruttore:VMO580-02F
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:2750nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 200V 580A Chassis Mount Y3-Li
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):200V
Descrizione:MOSFET N-CH 200V 580A MODULE
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:580A
Email:[email protected]

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