STD5406NT4G-VF01
STD5406NT4G-VF01
Modello di prodotti:
STD5406NT4G-VF01
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 12.2A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19149 Pieces
Scheda dati:
STD5406NT4G-VF01.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:DPAK
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:10 mOhm @ 30A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3W (Ta), 100W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:STD5406NT4G
STD5406NT4G-ND
STD5406NT4G-VF01OSTR
STD5406NT4GOSTR-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:30 Weeks
codice articolo del costruttore:STD5406NT4G-VF01
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2500pF @ 32V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 40V 12.2A (Ta), 70A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):40V
Descrizione:MOSFET N-CH 40V 12.2A DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:12.2A (Ta), 70A (Tc)
Email:[email protected]

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