Acquistare IRFSL5620PBF con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-262 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 77.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 144W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Altri nomi: | SP001552384 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRFSL5620PBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1710pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 38nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 24A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 24A TO262 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 24A (Tc) |
| Email: | [email protected] |