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IRLW630ATM
- Modello di prodotti:
- IRLW630ATM
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18322 Pieces
- Scheda dati:
- IRLW630ATM.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRLW630ATM, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRLW630ATM via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I2PAK |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 400 mOhm @ 4.5A, 5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.1W (Ta), 69W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRLW630ATM |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 755pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 27nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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