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SSM6J51TUTE85LF
- Modello di prodotti:
- SSM6J51TUTE85LF
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 12V 4A UF6
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16723 Pieces
- Scheda dati:
- 1.SSM6J51TUTE85LF.pdf2.SSM6J51TUTE85LF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | UF6 |
| Serie: | U-MOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 54 mOhm @ 2A, 2.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 500mW (Ta) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 6-SMD, Flat Leads |
| Altri nomi: | SSM6J51TU(TE85LF)DKR SSM6J51TU(TE85LF)DKR-ND SSM6J51TUTE85LFDKR |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | SSM6J51TUTE85LF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1700pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 12V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UF6 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 12V 4A UF6 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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