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SSM6J511NU,LF
- Modello di prodotti:
- SSM6J511NU,LF
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13358 Pieces
- Scheda dati:
- SSM6J511NU,LF.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-UDFNB (2x2) |
| Serie: | U-MOSVII |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 9.1 mOhm @ 4A, 8V |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | SSM6J511NU,LF(B SSM6J511NU,LF(T SSM6J511NULF SSM6J511NULFTR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SSM6J511NU,LF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 3350pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 47nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 12V 14A (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione: | MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 14A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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