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SSM6J502NU,LF(T
- Modello di prodotti:
- SSM6J502NU,LF(T
- fabbricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15427 Pieces
- Scheda dati:
- SSM6J502NU,LF(T.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 6-UDFNB (2x2) |
| Serie: | U-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 23.1 mOhm @ 4A, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 1W (Ta) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 6-WDFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | SSM6J502NU,LF SSM6J502NU,LF(B SSM6J502NULF SSM6J502NULF(TTR SSM6J502NULFTR SSM6J502NULFTR-ND |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SSM6J502NU,LF(T |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1800pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 24.8nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | P-Channel 20V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2) |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 20V |
| Descrizione: | MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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