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SIA537EDJ-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SIA537EDJ-T1-GE3
- fabbricante:
- Vishay / Siliconix
- Descrizione:
- MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14225 Pieces
- Scheda dati:
- 1.SIA537EDJ-T1-GE3.pdf2.SIA537EDJ-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 28 mOhm @ 5.2A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 7.8W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Altri nomi: | SIA537EDJ-T1-GE3TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 24 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | SIA537EDJ-T1-GE3 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 455pF @ 6V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 8V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array N and P-Channel 12V, 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V, 20V |
| Descrizione: | MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 4.5A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per SIA537EDJ-T1-GE3
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