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NTLLD4951NFTWG
- Modello di prodotti:
- NTLLD4951NFTWG
- fabbricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18237 Pieces
- Scheda dati:
- NTLLD4951NFTWG.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per NTLLD4951NFTWG, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per NTLLD4951NFTWG via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.2V @ 250µA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-WDFN (3x3) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 17.4 mOhm @ 9A, 10V |
| Potenza - Max: | 800mW, 810mW |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerWDFN |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 6 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | NTLLD4951NFTWG |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 605pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 12nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 5.5A, 6.3A 800mW, 810mW Surface Mount 8-WDFN (3x3) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 5.5A, 6.3A |
| Email: | [email protected] |
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