NTLLD4901NFTWG
NTLLD4901NFTWG
Modello di prodotti:
NTLLD4901NFTWG
fabbricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19217 Pieces
Scheda dati:
NTLLD4901NFTWG.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore:8-WDFN (3x3)
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:17.4 mOhm @ 9A, 10V
Potenza - Max:800mW, 810mW
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerWDFN
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:21 Weeks
codice articolo del costruttore:NTLLD4901NFTWG
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:605pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET:Logic Level Gate
Descrizione espansione:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A, 6.3A 800mW, 810mW Surface Mount 8-WDFN (3x3)
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A WDFN8
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:5.5A, 6.3A
Email:[email protected]

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