Acquistare QJD1210011 con BYCHPS
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| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 10mA |
|---|---|
| Contenitore dispositivo fornitore: | Module |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 25 mOhm @ 100A, 20V |
| Potenza - Max: | 900W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | Module |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | QJD1210011 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 10200pF @ 800V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 500nC @ 20V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Standard |
| Descrizione espansione: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 900W Chassis Mount Module |
| Tensione drain-source (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione: | MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A |
| Email: | [email protected] |