RMW200N03TB
RMW200N03TB
Modello di prodotti:
RMW200N03TB
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 20A 8PSOP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
14280 Pieces
Scheda dati:
RMW200N03TB.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-PSOP
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:4.2 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3W (Ta)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-SMD, Flat Lead
Altri nomi:RMW200N03TBTR
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:RMW200N03TB
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1780pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 30V 20A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-PSOP
Tensione drain-source (Vdss):30V
Descrizione:MOSFET N-CH 30V 20A 8PSOP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:20A (Ta)
Email:[email protected]

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