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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-singolo > CSD19533Q5AT
CSD19533Q5AT
Modello di prodotti:
CSD19533Q5AT
fabbricante:
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 100A VSONP
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17675 Pieces
Scheda dati:
CSD19533Q5AT.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:8-VSONP (5x6)
Serie:NexFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:9.4 mOhm @ 13A, 6V
Dissipazione di potenza (max):3.2W (Ta), 96W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerTDFN
Altri nomi:296-44472-2
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:7 Weeks
codice articolo del costruttore:CSD19533Q5AT
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:2670pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 100A VSONP
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:100A (Ta)
Email:[email protected]

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