IRLH5030TRPBF
IRLH5030TRPBF
Modello di prodotti:
IRLH5030TRPBF
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19493 Pieces
Scheda dati:
IRLH5030TRPBF.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 150µA
Vgs (Max):±16V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PQFN (5x6)
Serie:HEXFET®
Rds On (max) a Id, Vgs:9 mOhm @ 50A, 10V
Dissipazione di potenza (max):3.6W (Ta), 156W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:8-PowerVDFN
Altri nomi:IRLH5030TRPBF-ND
IRLH5030TRPBFTR
SP001558752
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:IRLH5030TRPBF
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:5185pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:94nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 100V 13A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione:MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:13A (Ta), 100A (Tc)
Email:[email protected]

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