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IRLH5030TR2PBF
- Modello di prodotti:
- IRLH5030TR2PBF
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 15964 Pieces
- Scheda dati:
- IRLH5030TR2PBF.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per IRLH5030TR2PBF, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per IRLH5030TR2PBF via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 2.5V @ 150µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PQFN (5x6) Single Die |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 9 mOhm @ 50A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
| imballaggio: | Original-Reel® |
| Contenitore / involucro: | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi: | IRLH5030TR2PBFDKR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | IRLH5030TR2PBF |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 5185pF @ 50V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 94nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 100V 13A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die |
| Tensione drain-source (Vdss): | 100V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 13A (Ta), 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per IRLH5030TR2PBF
| Immagine | Modello di prodotti | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLH5034TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN | Inchiesta |
|
IRLH5034TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8-PQFN | Inchiesta |
|
IRLH5030TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN | Inchiesta |
 |
STI42N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK | Inchiesta |
 |
TK40P04M1(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A | Inchiesta |
 |
PSMN027-100XS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F | Inchiesta |
|
IRLH5036TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN | Inchiesta |
|
IRLH5036TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN | Inchiesta |
 |
STP60NF03L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 60A TO-220 | Inchiesta |
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