R6015ANX
R6015ANX
Modello di prodotti:
R6015ANX
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19762 Pieces
Scheda dati:
R6015ANX.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220FM
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:300 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):50W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:R6015ANX
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1700pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 15A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:15A (Ta)
Email:[email protected]

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