R6015KNX
Modello di prodotti:
R6015KNX
fabbricante:
LAPIS Semiconductor
Descrizione:
NCH 600V 15A POWER MOSFET
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19973 Pieces
Scheda dati:
R6015KNX.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220FM
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:290 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max):60W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-220-3
Altri nomi:R6015KNXTR
R6015KNXTR-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:15 Weeks
codice articolo del costruttore:R6015KNX
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:27.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 15A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220FM
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:NCH 600V 15A POWER MOSFET
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:15A (Tc)
Email:[email protected]

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