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R6009ENX
- Modello di prodotti:
- R6009ENX
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 9A TO220
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 16484 Pieces
- Scheda dati:
- R6009ENX.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per R6009ENX, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per R6009ENX via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220FM |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 535 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 40W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi: | R6009ENXCT R6009ENXCT-ND |
| temperatura di esercizio: | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 17 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | R6009ENX |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 430pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 9A TO220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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