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R6009KNX
- Modello di prodotti:
- R6009KNX
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14180 Pieces
- Scheda dati:
- R6009KNX.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-220FM |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 535 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 48W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-220-3 Full Pack |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 15 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | R6009KNX |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 540pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 16.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 9A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220FM |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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