IXFP8N85X
IXFP8N85X
Modello di prodotti:
IXFP8N85X
fabbricante:
IXYS Corporation
Descrizione:
MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB
quantità disponibile:
18820 Pieces
Scheda dati:
IXFP8N85X.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:5.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-220AB (IXFP)
Serie:HiPerFET™
Rds On (max) a Id, Vgs:850 mOhm @ 4A, 10V
Dissipazione di potenza (max):200W (Tc)
Contenitore / involucro:TO-220-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:10 Weeks
codice articolo del costruttore:IXFP8N85X
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:654pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:17nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 850V 8A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB (IXFP)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):850V
Descrizione:MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:8A (Tc)
Email:[email protected]

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