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RYC002N05T316
- Modello di prodotti:
- RYC002N05T316
- fabbricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrizione:
- 0.9V DRIVE NCH SILICON MOSFET
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 17988 Pieces
- Scheda dati:
- RYC002N05T316.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 800mV @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±8V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | SOT-23 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Dissipazione di potenza (max): | 350mW (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Altri nomi: | RYC002N05T316TR |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 10 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | RYC002N05T316 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 26pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 50V 200mA (Tc) 350mW (Tc) Surface Mount SOT-23 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 50V |
| Descrizione: | 0.9V DRIVE NCH SILICON MOSFET |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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