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FQU4N25TU
- Modello di prodotti:
- FQU4N25TU
- fabbricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 250V 3A IPAK
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 12436 Pieces
- Scheda dati:
- FQU4N25TU.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per FQU4N25TU, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per FQU4N25TU via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | I-Pak |
| Serie: | QFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1.75 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta), 37W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | FQU4N25TU |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.6nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 250V 3A (Tc) 2.5W (Ta), 37W (Tc) Through Hole I-Pak |
| Tensione drain-source (Vdss): | 250V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 250V 3A IPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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