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IPD65R250E6XTMA1
- Modello di prodotti:
- IPD65R250E6XTMA1
- fabbricante:
- International Rectifier (Infineon Technologies)
- Descrizione:
- MOSFET N-CH TO252-3
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19307 Pieces
- Scheda dati:
- IPD65R250E6XTMA1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 3.5V @ 400µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | PG-TO252-3 |
| Serie: | CoolMOS™ E6 |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 250 mOhm @ 4.4A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 208W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi: | IPD65R250E6XTMA1-ND IPD65R250E6XTMA1TR SP000898656 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 12 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | IPD65R250E6XTMA1 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 950pF @ 1000V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 45nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 650V 16.1A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 650V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH TO252-3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 16.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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