IPD65R600C6BTMA1
IPD65R600C6BTMA1
Modello di prodotti:
IPD65R600C6BTMA1
fabbricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19869 Pieces
Scheda dati:
IPD65R600C6BTMA1.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:3.5V @ 210µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:PG-TO252-3
Serie:CoolMOS™
Rds On (max) a Id, Vgs:600 mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max):63W (Tc)
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi:IPD65R600C6
IPD65R600C6-ND
IPD65R600C6TR-ND
SP000745020
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:IPD65R600C6BTMA1
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:440pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:23nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 650V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):650V
Descrizione:MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:7.3A (Tc)
Email:[email protected]

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